Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+

When creating an n+-emitter in photosensitive structures of the n+-p-p+ type, the structure of its near-surface layer after the diffusion operation is found to be substantially damaged with increased recombination losses. The influence of additional growing-etching cycles of the silicon dioxide laye...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2023
Hauptverfasser: Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Slusar, T.V., Chernenko, V.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Ukrainian
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2023
Schlagworte:
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics