Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb

The effect of trapping on the transient and steady-state lifetimes of excess carriers is investigated in InSb of n-type conductivity. Photoconductive decay and direct current measurements are used to characterize the starting material and infrared photodiodes. The large difference between the transi...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2024
Hauptverfasser: Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2024
Schlagworte:
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240
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Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics