2025-02-22T10:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023346%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023346%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:06:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях

Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях

Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%)...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ismayilova, N.A., Jabarov, S.H., Guliyev, J.A.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2024
Subjects:
теорiя функцiонала густини
апроксимацiя
магнiтний момент
нанострiчка
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму.

Similar Items