Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%)...
Збережено в:
| Дата: | 2024 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023346 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20233462024-10-29T08:50:42Z Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. DFT approximation magnetic moment nanoribbon теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму. The density functional theory calculations using general gradient approximation (GGA) have been systematically performed to study the electronic structures, the density of states (DOS), and magnetic properties of V-doped GaN nanosheet for different dopant concentrations (2.08% and 4.16%). We conducted the entire study using the Atomistixtool kit code. The electronic properties were improved with the Hubbard values U = 4 eV. V-doped CaN nanosheet exhibits stable ferromagnetic (FM) states relative to corresponding antiferromagnetic (AFM) states. The calculated TC with the V-doping is found to be above the room temperature (RT) one. Calculation results reveal that V-doped nanosheets may be a good candidates for spintronics due to its good half-metal ferromagnetism. Publishing house "Academperiodika" 2024-10-29 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 10.15407/ujpe69.10.754 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 10 (2024); 754 Український фізичний журнал; Том 69 № 10 (2024); 754 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3197 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3198 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2024-10-29T08:50:42Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка |
| spellingShingle |
теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| topic_facet |
DFT approximation magnetic moment nanoribbon теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка |
| format |
Article |
| author |
Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. |
| author_facet |
Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. |
| author_sort |
Ismayilova, N.A. |
| title |
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_short |
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_full |
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_fullStr |
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_full_unstemmed |
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_sort |
феромагнетизм напівметалевих нанолистів gan, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_alt |
Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device |
| description |
Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 |
| work_keys_str_mv |
AT ismayilovana halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT jabarovsh halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT guliyevja halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT ismayilovana feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh AT jabarovsh feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh AT guliyevja feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh |
| first_indexed |
2024-12-15T20:35:32Z |
| last_indexed |
2024-12-15T20:35:32Z |
| _version_ |
1818540071795556352 |