2025-02-22T09:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023346%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023346%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T09:35:49-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях

Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях

Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%)...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ismayilova, N.A., Jabarov, S.H., Guliyev, J.A.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2024
Subjects:
теорiя функцiонала густини
апроксимацiя
магнiтний момент
нанострiчка
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id ujp2-article-2023346
record_format ojs
spelling ujp2-article-20233462024-10-29T08:50:42Z Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. DFT approximation magnetic moment nanoribbon теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму. The density functional theory calculations using general gradient approximation (GGA) have been systematically performed to study the electronic structures, the density of states (DOS), and magnetic properties of V-doped GaN nanosheet for different dopant concentrations (2.08% and 4.16%). We conducted the entire study using the Atomistixtool kit code. The electronic properties were improved with the Hubbard values U = 4 eV. V-doped CaN nanosheet exhibits stable ferromagnetic (FM) states relative to corresponding antiferromagnetic (AFM) states. The calculated TC with the V-doping is found to be above the room temperature (RT) one. Calculation results reveal that V-doped nanosheets may be a good candidates for spintronics due to its good half-metal ferromagnetism. Publishing house "Academperiodika" 2024-10-29 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 10.15407/ujpe69.10.754 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 10 (2024); 754 Український фізичний журнал; Том 69 № 10 (2024); 754 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3197 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3198 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2024-10-29T08:50:42Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic теорiя функцiонала густини
апроксимацiя
магнiтний момент
нанострiчка
spellingShingle теорiя функцiонала густини
апроксимацiя
магнiтний момент
нанострiчка
Ismayilova, N.A.
Jabarov, S.H.
Guliyev, J.A.
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
topic_facet DFT
approximation
magnetic moment
nanoribbon
теорiя функцiонала густини
апроксимацiя
магнiтний момент
нанострiчка
format Article
author Ismayilova, N.A.
Jabarov, S.H.
Guliyev, J.A.
author_facet Ismayilova, N.A.
Jabarov, S.H.
Guliyev, J.A.
author_sort Ismayilova, N.A.
title Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_short Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_full Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_fullStr Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_full_unstemmed Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_sort феромагнетизм напівметалевих нанолистів gan, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
title_alt Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device
description Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2024
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346
work_keys_str_mv AT ismayilovana halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice
AT jabarovsh halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice
AT guliyevja halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice
AT ismayilovana feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh
AT jabarovsh feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh
AT guliyevja feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh
first_indexed 2024-12-15T20:35:32Z
last_indexed 2024-12-15T20:35:32Z
_version_ 1818540071795556352

Similar Items