Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
The density functional theory calculations using general gradient approximation (GGA) have been systematically performed to study the electronic structures, the density of states (DOS), and magnetic properties of V-doped GaN nanosheet for different dopant concentrations (2.08% and 4.16%). We conduct...
Saved in:
| Date: | 2024 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131507977093120 |
|---|---|
| author | Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. |
| author_facet | Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. |
| author_sort | Ismayilova, N.A. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2024-10-29T08:50:52Z |
| description | The density functional theory calculations using general gradient approximation (GGA) have been systematically performed to study the electronic structures, the density of states (DOS), and magnetic properties of V-doped GaN nanosheet for different dopant concentrations (2.08% and 4.16%). We conducted the entire study using the Atomistixtool kit code. The electronic properties were improved with the Hubbard values U = 4 eV. V-doped CaN nanosheet exhibits stable ferromagnetic (FM) states relative to corresponding antiferromagnetic (AFM) states. The calculated TC with the V-doping is found to be above the room temperature (RT) one. Calculation results reveal that V-doped nanosheets may be a good candidates for spintronics due to its good half-metal ferromagnetism. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe69.10.754 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:19:08Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2023346 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:19:08Z |
| publishDate | 2024 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20233462024-10-29T08:50:52Z Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. DFT approximation magnetic moment nanoribbon теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка The density functional theory calculations using general gradient approximation (GGA) have been systematically performed to study the electronic structures, the density of states (DOS), and magnetic properties of V-doped GaN nanosheet for different dopant concentrations (2.08% and 4.16%). We conducted the entire study using the Atomistixtool kit code. The electronic properties were improved with the Hubbard values U = 4 eV. V-doped CaN nanosheet exhibits stable ferromagnetic (FM) states relative to corresponding antiferromagnetic (AFM) states. The calculated TC with the V-doping is found to be above the room temperature (RT) one. Calculation results reveal that V-doped nanosheets may be a good candidates for spintronics due to its good half-metal ferromagnetism. Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму. Publishing house "Academperiodika" 2024-10-29 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 10.15407/ujpe69.10.754 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 10 (2024); 754 Український фізичний журнал; Том 69 № 10 (2024); 754 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3197 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346/3198 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка Ismayilova, N.A. Jabarov, S.H. Guliyev, J.A. Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title | Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_alt | Half-Metal Ferromagnetism V-Doped GaN Nanosheet Application in Spintronic Device |
| title_full | Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_fullStr | Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_full_unstemmed | Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_short | Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| title_sort | феромагнетизм напівметалевих нанолистів gan, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях |
| topic | теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка |
| topic_facet | DFT approximation magnetic moment nanoribbon теорiя функцiонала густини апроксимацiя магнiтний момент нанострiчка |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 |
| work_keys_str_mv | AT ismayilovana halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT jabarovsh halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT guliyevja halfmetalferromagnetismvdopedgannanosheetapplicationinspintronicdevice AT ismayilovana feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh AT jabarovsh feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh AT guliyevja feromagnetizmnapívmetalevihnanolistívganlegovanihvanadíêmtajogozastosuvannâuspíntronnihpristroâh |