Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення
In this paper, we provide detailed information on the mechanism of formation of thin copper films in different modes of magnetron sputtering on the surface of single-crystal silicon by the solid-phase ion-plasma method. The dependence of the sputtering rate of Cu/Si films obtained by the direct curr...
Saved in:
| Date: | 2026 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2026
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023585 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131526948978688 |
|---|---|
| author | Dovranov, K.T. Abrayeva, S.T. Yorqulov, R.M. Mustafoeva, N.M. Buzrukov, T.O. Jurayeva, Sh.A. Aminov, A.A. |
| author_facet | Dovranov, K.T. Abrayeva, S.T. Yorqulov, R.M. Mustafoeva, N.M. Buzrukov, T.O. Jurayeva, Sh.A. Aminov, A.A. |
| author_sort | Dovranov, K.T. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-30T17:11:59Z |
| description | In this paper, we provide detailed information on the mechanism of formation of thin copper films in different modes of magnetron sputtering on the surface of single-crystal silicon by the solid-phase ion-plasma method. The dependence of the sputtering rate of Cu/Si films obtained by the direct current magnetron method and the radio frequency magnetron method on the sputtering time and the distance between the target and the substrate was studied. The surface morphology and electrophysical properties of thin copper films were analyzed. At a distance between the base and the target of 90 mm, the sputtering rate had a maximum value of 21 ˚A/sec. Polycrystalline films with a thickness of 90 nm and 110 nm were formed in the DCMS and RFMS modes in 2.5 minute. It was found that the DCMS mode is the optimal method for forming polycrystalline copper films. The RFMS mode can be used to form copper silicide films. These studies will serve as a basis for the formation of copper nanofilms used in the field of nanoelectronics in the future. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe71.1.65 |
| first_indexed | 2026-04-22T01:18:05Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2023585 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-22T01:18:05Z |
| publishDate | 2026 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20235852026-01-30T17:11:59Z Formation and Morphology of Cu nanofilms Using DC and RF Modes of a Magnetron Sputtering Device Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення Dovranov, K.T. Abrayeva, S.T. Yorqulov, R.M. Mustafoeva, N.M. Buzrukov, T.O. Jurayeva, Sh.A. Aminov, A.A. magnetron sputtering DCMS and RFMS copper nanofilms магнетронне напилення постiйний струм радiочастота мiднi наноплiвки In this paper, we provide detailed information on the mechanism of formation of thin copper films in different modes of magnetron sputtering on the surface of single-crystal silicon by the solid-phase ion-plasma method. The dependence of the sputtering rate of Cu/Si films obtained by the direct current magnetron method and the radio frequency magnetron method on the sputtering time and the distance between the target and the substrate was studied. The surface morphology and electrophysical properties of thin copper films were analyzed. At a distance between the base and the target of 90 mm, the sputtering rate had a maximum value of 21 ˚A/sec. Polycrystalline films with a thickness of 90 nm and 110 nm were formed in the DCMS and RFMS modes in 2.5 minute. It was found that the DCMS mode is the optimal method for forming polycrystalline copper films. The RFMS mode can be used to form copper silicide films. These studies will serve as a basis for the formation of copper nanofilms used in the field of nanoelectronics in the future. Надається детальна iнформацiя про механiзм створення тонких (90 та 110 нм) мiдних плiвок на поверхнi монокристала кремнiю в рiзних модах магнетронного напилення твердофазним iонно-плазмовим методом. Дослiджено залежнiсть швидкостi напилення плiвок Cu/Si, отриманих магнетронним методом постiйного струму та радiочастотним магнетронним методом, вiд часу напилення та вiдстанi мiж мiшенню та пiдкладинкою. Проаналiзовано морфологiю поверхнi та електрофiзичнi властивостi тонких мiдних плiвок. Для вiдстанi мiж основою та мiшенню, рiвною 90 мм, швидкiсть напилення мала максимальне значення 21˚A/с. Полiкристалiчнi плiвки товщиною 90 нм та 110 нм були сформованi в режимах DCMS та RFMS за 2,5 хвилини. Виявлено, що режим DCMS є оптимальним методом для формування полiкристалiчних мiдних плiвок. Режим RFMS може бути використаний для формування плiвок силiциду мiдi. Цi дослiдження слугуватимуть основою для формування мiдних наноплiвок, що використовуються в галузi наноелектронiки в майбутньому. Publishing house "Academperiodika" 2026-01-30 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023585 10.15407/ujpe71.1.65 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 71 No. 1 (2026); 65 Український фізичний журнал; Том 71 № 1 (2026); 65 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe71.1 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023585/3429 Copyright (c) 2026 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | магнетронне напилення постiйний струм радiочастота мiднi наноплiвки Dovranov, K.T. Abrayeva, S.T. Yorqulov, R.M. Mustafoeva, N.M. Buzrukov, T.O. Jurayeva, Sh.A. Aminov, A.A. Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title | Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title_alt | Formation and Morphology of Cu nanofilms Using DC and RF Modes of a Magnetron Sputtering Device |
| title_full | Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title_fullStr | Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title_full_unstemmed | Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title_short | Виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| title_sort | виготовлення та морфологія мідних наноплівок з використанням приладів на постійному струмі та радіочастотах для магнетронного розпилення |
| topic | магнетронне напилення постiйний струм радiочастота мiднi наноплiвки |
| topic_facet | magnetron sputtering DCMS and RFMS copper nanofilms магнетронне напилення постiйний струм радiочастота мiднi наноплiвки |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023585 |
| work_keys_str_mv | AT dovranovkt formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT abrayevast formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT yorqulovrm formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT mustafoevanm formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT buzrukovto formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT jurayevasha formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT aminovaa formationandmorphologyofcunanofilmsusingdcandrfmodesofamagnetronsputteringdevice AT dovranovkt vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT abrayevast vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT yorqulovrm vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT mustafoevanm vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT buzrukovto vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT jurayevasha vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ AT aminovaa vigotovlennâtamorfologíâmídnihnanoplívokzvikoristannâmpriladívnapostíjnomustrumítaradíočastotahdlâmagnetronnogorozpilennâ |