2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-61%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-61%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору

A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A tec...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Semikina, T. V.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2018
Subjects:
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id ujp2-article-61
record_format ojs
spelling ujp2-article-612020-10-19T00:44:12Z Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору Semikina, T. V. метод квазi-замкненого простору CdS/CdTe сонячнi елементи CuxS омiчний контакт провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al 539.234 539.25 539.26 621.383.51 vacuum quasiclosed space technology CdS/CdTe solar cell CuxS ohmic contact Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films 539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51 A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A technology to produce an ohmic contact with p-CdTe, by using the degenerate CuxS semiconductor, is proposed. The characteristics of SCs fabricated on substrates covered with various conducting films (Mo, ZnO, ZnO:Al) are analyzed. The measurement results of light and dark voltage-current characteristics testify to the better characteristics of ZnO and ZnO:Al films obtained by the atomic layer deposition from the viewpoint of their application in SCs. The optimum thicknesses of the CdS (67 nm), CdTe (about 1 /um), and CuxS (30 nm) layers, at which the best SC efficiency (n = 1.75÷1.89%) is obtained, are determined. The application of thin films in SC structures is shown to improve the characteristics of the latter. Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзуються технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ширина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована технологiя виготовлення омiчного контакту до p-CdTe на основi виродженого напiвпровiдника CuxS. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними провiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO:Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO:Al плiвок, отриманих методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено товщини шарiв CdS (d = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та CuxS (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть (n = 1,75–1,89 %) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики. Publishing house "Academperiodika" 2018-03-10 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61 10.15407/ujpe63.2.156 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 2 (2018); 156 Український фізичний журнал; Том 63 № 2 (2018); 156 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61/34 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61/35
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic метод квазi-замкненого простору
CdS/CdTe сонячнi елементи
CuxS омiчний контакт
провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al
539.234
539.25
539.26
621.383.51
vacuum quasiclosed space technology
CdS/CdTe solar cell
CuxS ohmic contact
Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films
539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51
spellingShingle метод квазi-замкненого простору
CdS/CdTe сонячнi елементи
CuxS омiчний контакт
провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al
539.234
539.25
539.26
621.383.51
vacuum quasiclosed space technology
CdS/CdTe solar cell
CuxS ohmic contact
Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films
539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51
Semikina, T. V.
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
topic_facet метод квазi-замкненого простору
CdS/CdTe сонячнi елементи
CuxS омiчний контакт
провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al
539.234
539.25
539.26
621.383.51
vacuum quasiclosed space technology
CdS/CdTe solar cell
CuxS ohmic contact
Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films
539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51
format Article
author Semikina, T. V.
author_facet Semikina, T. V.
author_sort Semikina, T. V.
title Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_short Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_full Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_fullStr Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_full_unstemmed Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_sort технологія отримання та властивості cds/cdte сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
title_alt Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties
description A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A technology to produce an ohmic contact with p-CdTe, by using the degenerate CuxS semiconductor, is proposed. The characteristics of SCs fabricated on substrates covered with various conducting films (Mo, ZnO, ZnO:Al) are analyzed. The measurement results of light and dark voltage-current characteristics testify to the better characteristics of ZnO and ZnO:Al films obtained by the atomic layer deposition from the viewpoint of their application in SCs. The optimum thicknesses of the CdS (67 nm), CdTe (about 1 /um), and CuxS (30 nm) layers, at which the best SC efficiency (n = 1.75÷1.89%) is obtained, are determined. The application of thin films in SC structures is shown to improve the characteristics of the latter.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61
work_keys_str_mv AT semikinatv fabricationofcdscdtesolarcellsbyquasiclosedspacetechnologyandresearchoftheirproperties
AT semikinatv tehnologíâotrimannâtavlastivostícdscdtesonâčnihelementívzvikoristannâmmetodakvazízamknenogoprostoru
first_indexed 2023-03-24T08:54:54Z
last_indexed 2023-03-24T08:54:54Z
_version_ 1795757595579908096