2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-61%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-61%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:37:29-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A tec...
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian English |
Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Subjects: | |
Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
ujp2-article-61 |
---|---|
record_format |
ojs |
spelling |
ujp2-article-612020-10-19T00:44:12Z Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору Semikina, T. V. метод квазi-замкненого простору CdS/CdTe сонячнi елементи CuxS омiчний контакт провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al 539.234 539.25 539.26 621.383.51 vacuum quasiclosed space technology CdS/CdTe solar cell CuxS ohmic contact Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films 539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51 A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A technology to produce an ohmic contact with p-CdTe, by using the degenerate CuxS semiconductor, is proposed. The characteristics of SCs fabricated on substrates covered with various conducting films (Mo, ZnO, ZnO:Al) are analyzed. The measurement results of light and dark voltage-current characteristics testify to the better characteristics of ZnO and ZnO:Al films obtained by the atomic layer deposition from the viewpoint of their application in SCs. The optimum thicknesses of the CdS (67 nm), CdTe (about 1 /um), and CuxS (30 nm) layers, at which the best SC efficiency (n = 1.75÷1.89%) is obtained, are determined. The application of thin films in SC structures is shown to improve the characteristics of the latter. Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзуються технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ширина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована технологiя виготовлення омiчного контакту до p-CdTe на основi виродженого напiвпровiдника CuxS. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними провiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO:Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO:Al плiвок, отриманих методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено товщини шарiв CdS (d = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та CuxS (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть (n = 1,75–1,89 %) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики. Publishing house "Academperiodika" 2018-03-10 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61 10.15407/ujpe63.2.156 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 2 (2018); 156 Український фізичний журнал; Том 63 № 2 (2018); 156 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61/34 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61/35 |
institution |
Ukrainian Journal of Physics |
collection |
OJS |
language |
Ukrainian English |
topic |
метод квазi-замкненого простору CdS/CdTe сонячнi елементи CuxS омiчний контакт провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al 539.234 539.25 539.26 621.383.51 vacuum quasiclosed space technology CdS/CdTe solar cell CuxS ohmic contact Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films 539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51 |
spellingShingle |
метод квазi-замкненого простору CdS/CdTe сонячнi елементи CuxS омiчний контакт провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al 539.234 539.25 539.26 621.383.51 vacuum quasiclosed space technology CdS/CdTe solar cell CuxS ohmic contact Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films 539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51 Semikina, T. V. Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
topic_facet |
метод квазi-замкненого простору CdS/CdTe сонячнi елементи CuxS омiчний контакт провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO:Al 539.234 539.25 539.26 621.383.51 vacuum quasiclosed space technology CdS/CdTe solar cell CuxS ohmic contact Mo, ZnO, ZnO:Al conducting films 539.234, 539.25, 539.26, 621.383.51 |
format |
Article |
author |
Semikina, T. V. |
author_facet |
Semikina, T. V. |
author_sort |
Semikina, T. V. |
title |
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_short |
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_full |
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_fullStr |
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_full_unstemmed |
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_sort |
технологія отримання та властивості cds/cdte сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору |
title_alt |
Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties |
description |
A quasiclosed space technology has been developed for the deposition of CdS and CdTe layers, while fabricating solar cells (SCs). Technological factors affecting the crystal lattice structure, the optical band gap width, and the conductivity in the CdS and CdTe layers are studied and analyzed. A technology to produce an ohmic contact with p-CdTe, by using the degenerate CuxS semiconductor, is proposed. The characteristics of SCs fabricated on substrates covered with various conducting films (Mo, ZnO, ZnO:Al) are analyzed. The measurement results of light and dark voltage-current characteristics testify to the better characteristics of ZnO and ZnO:Al films obtained by the atomic layer deposition from the viewpoint of their application in SCs. The optimum thicknesses of the CdS (67 nm), CdTe (about 1 /um), and CuxS (30 nm) layers, at which the best SC efficiency (n = 1.75÷1.89%) is obtained, are determined. The application of thin films in SC structures is shown to improve the characteristics of the latter. |
publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
publishDate |
2018 |
url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/61 |
work_keys_str_mv |
AT semikinatv fabricationofcdscdtesolarcellsbyquasiclosedspacetechnologyandresearchoftheirproperties AT semikinatv tehnologíâotrimannâtavlastivostícdscdtesonâčnihelementívzvikoristannâmmetodakvazízamknenogoprostoru |
first_indexed |
2023-03-24T08:54:54Z |
last_indexed |
2023-03-24T08:54:54Z |
_version_ |
1795757595579908096 |