DYNAMIC BEHAVIOR OF PV-CELLS AND PV-PANELS UNDER PULSE COHERENT RADIATION

Мета роботи – дослідження динамічної поведінки фотоелементів і фотопанелей під дією імпульсного когерентного випромінювання, а саме під дією випромінювання напівпровідникового інжек-ційного лазера. В роботі показані швидкісні рівняння для концентрації носіїв зарядів та густини фотонів у напівпровідн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автор: Bondarenko , D.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Institute of Renewable Energy National Academy of Sciences of Ukraine 2022
Теми:
Онлайн доступ:https://ve.org.ua/index.php/journal/article/view/370
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Vidnovluvana energetika

Репозитарії

Vidnovluvana energetika
Опис
Резюме:Мета роботи – дослідження динамічної поведінки фотоелементів і фотопанелей під дією імпульсного когерентного випромінювання, а саме під дією випромінювання напівпровідникового інжек-ційного лазера. В роботі показані швидкісні рівняння для концентрації носіїв зарядів та густини фотонів у напівпровіднику, які описують динамічну поведінку напівпровідникового лазера та фотоелемента. Описані параметри швидкісних рівнянь. Також в роботі показані електричні моделі (еквівалент-ні схеми) напівпровідникового лазера і фотоелемента для проведення моделювання електричних кіл та проведення теоретичного аналізу процесів в таких колах. Надані рівняння для еквівалентних схем в електричних величинах та параметрах електричних кіл. Розроблене устаткування для проведення експериментального дослідження динамічної поведінки фотоелементів і фотопанелей під дією імпульсного когерентного випромінювання, для чого були використані блоки живлення, модуляції, випромінення, аналізу електричних сигналів. Проведене експериментальне дослідження фотоелемента і двох фотопанелей різної потужності під дією лазерного випромінювання з різною концентрацією променя (концентрований промінь та розсіяний). Отримані осцилограми перехідних процесів у фотоелементі та фотопанелях. Проведений аналіз, з якого видно, що завдяки релаксаційним процесам та процесам накопичення в досліджуваних напівпровідникових пристроях відбувається зміна форми фрон-тів електричних імпульсів на виході фотоелемента та фотопанелей. Видно, що при опроміненні всієї площі фотоелектричних панелей форма вихідного електричного імпульсу є чіткішою для детек-тування імпульсного сигналу в демодуляторі. Зроблені висновки, зокрема, що паразитні елементи фотоелектричних панелей спричиняють суттєве затягування перехідного процесу при когерентному опроміненні і що для уникнення збільшення часу фронту імпульсу бажано опромінювати фотопанель в цілому. Бібл. 11, рис. 11.