FEATURES OF ELECTRO-THERMAL PROTECTION OF SOLAR MODULES BASED ON BYPASS CRITI-CAL THERMORESISTORS
Представлено результати експериментальних досліджень впливу особливостей параметрів електричного кола сонячного модуля на функціонування його пасивного фотоелемента з паралельно підключеним байпасним критичним терморезистором як методу підвищення надійності роботи сонячного модуля. Як терморезистор...
Gespeichert in:
| Datum: | 2024 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Institute of Renewable Energy National Academy of Sciences of Ukraine
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ve.org.ua/index.php/journal/article/view/440 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Vidnovluvana energetika |
Institution
Vidnovluvana energetika| Zusammenfassung: | Представлено результати експериментальних досліджень впливу особливостей параметрів електричного кола сонячного модуля на функціонування його пасивного фотоелемента з паралельно підключеним байпасним критичним терморезистором як методу підвищення надійності роботи сонячного модуля. Як терморезистор використовували склокерамічні матеріали на основі діоксиду ванадію та ванадій-фосфатного скла V2O5-P2O5, що стрибкоподібно змінюють величину електричного опору на 1,5−2 порядки в області температури 70 0С. Основну увагу приділено вивченню закономірностей поведінки функціональних електричних і теплових характеристик таких елементів від амплітуди перенапруги та опору навантаження.
Встановлено, що зі зростанням амплітуди перенапруги на пасивному (затіненому або пошкодженому) фотоелементі тривалість процесу перемикання байпасного терморезистора у високопровідний стан зменшується, падіння напруги після перемикання різко знижується (до величин, що не перевищують 2 В) та слабко змінюється. Збільшення опору навантаження зумовлює зниження струму через терморезистор і збільшення тривалості перехідного процесу. При тепловому контакті між пасивним фотоелементом і байпасним терморезистором перемикання спостерігається за менших перенапруг. За відсутності такого контакту температура, до якої нагрівається фотоелемент, у сталому стані змінюється несуттєво. |
|---|