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Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии...
von
Vakiv, N. M.
,
Krukovskii, S. I.
,
Larkin, S. Yu.
,
Avksent'ev, A. Yu.
,
Krukovskii, R. S.
Veröffentlicht 2014
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Institution
Technology and design in electronic equipment
1
Format
Artikel
1
Verfasser
Avksent'ev, A. Yu
1
Krukovskii, R. S.
1
Krukovskii, S. I.
1
Larkin, S. Yu
1
Vakiv, N. M.
1
Sprache
Ukrainian
1
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Von:
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