Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Volltext

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs von Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Volltext

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия von Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Volltext

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн von Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Volltext

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях von Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Volltext

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники von Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Volltext

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия von Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Volltext