Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs by Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Get full text

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si by Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Get full text

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs by Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Get full text

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия by Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Get full text

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн by Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Get full text