A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides von Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.

Volltext

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Volltext