Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов von Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

Volltext

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм... von Mirsagatov, Sh. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., Zaveryukhina, N. N.

Volltext

Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)... von Il'chenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Goloborodko, N. S.

Volltext