Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

Отримати повний текст

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм... за авторством Mirsagatov, Sh. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., Zaveryukhina, N. N.

Отримати повний текст

Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)... за авторством Il'chenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Goloborodko, N. S.

Отримати повний текст