Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов by Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

Get full text

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Get full text

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Get full text

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Get full text

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Get full text

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм... by Mirsagatov, Sh. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., Zaveryukhina, N. N.

Get full text

Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)... by Il'chenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Goloborodko, N. S.

Get full text