Показ
1 - 1
результатів із
1
Перейти до змісту
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Full text
Знайти
Розширений
page_reload_on_deselect_hint
Видалити фільтри
applied_filters
Рекомендовані теми:
Remove filter
barrier tunneling
page_reload_on_deselect_hint
Видалити фільтри
Показати фільтри (1)
Рекомендовані теми:
Remove filter
barrier tunneling
Результати пошуку
Результати пошуку
Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.
Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.
barrier tunneling
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
1
minimum channel length
1
мiнiмальна довжина каналу
1
транзистор метал–дiелектрик–напiвпровiдник
1
тунелювання крiзь бар’єр
1
Показ
1 - 1
результатів із
1
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Е-пошта
Експорт
Друк
bulk_save_button
select_all_on_page
Вибрати результат під номером 1
1
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу...
за авторством
Strikha, M.V.
,
Kurchak, A.I.
Опубліковано 2021
Отримати повний текст
Стаття
standalone_record_link
Додати у Вибране
Збережено в:
Е-пошта
Експорт
Друк
bulk_save_button
select_all_on_page
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
Відправити пошук е-поштою
Зберегти пошук
Назад
Уточнити результати
page_reload_on_select_hint
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics
1 результатів
1
Формат
Стаття
1 результатів
1
Автор
Kurchak, A.I.
1 результатів
1
Strikha, M.V.
1 результатів
1
Мова
English
1 результатів
1
Ukrainian
1 результатів
1
Рік публікації
від:
до: