Результати пошуку

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.
  • Показ 1 - 11 результатів із 11
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

    Опубліковано 2005
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского... за авторством Kovtun, G. P., Kravchenko, A. I., Kondrik, A. I., Shcherban', A. P., Kondrik, A. I.

    Опубліковано 2004
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

    Опубліковано 2014
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs... за авторством Garkavenko, A. S.

    Опубліковано 2011
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

    Опубліковано 2010
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Зображення обкладинки

    Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей за авторством Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.

    Опубліковано 2008
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Зображення обкладинки

    Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

    Опубліковано 2008
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Зображення обкладинки

    Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  10. 10
    Зображення обкладинки

    Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны за авторством Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  11. 11
    Зображення обкладинки

    Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

    Опубліковано 2006
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: