Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Отримати повний текст

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин... за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.

Отримати повний текст