Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Volltext

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

Volltext

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна von Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.

Volltext

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Volltext