Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs von Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Volltext

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Volltext

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs von Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Volltext

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия von Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Volltext

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн von Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Volltext