Suchergebnisse
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
- doping
- допування 5
- легирование 5
- легування 4
- допирование 2
- - 1
- CdTe 1
- MOCVD 1
- N–ТіО2 1
- Sb 1
- Sb nanopowders 1
- SnO2 1
- TiO2 1
- adsorption of gases 1
- aprotic electrolyte 1
- aqueous electrolyte 1
- benzene 1
- carbide skeleton 1
- carbon film 1
- ceramics 1
- citric acid 1
- dedoping 1
- diamond-like film 1
- doxycycline 1
- efficiency 1
- electrochemical extraction of lithium 1
- electroconductivity 1
- electroluminescence 1
- epitaxial heterostructures 1
- epitaxial layer 1
-
1
Доповані неметалами наноструктури ТіО2: одержання, стан допантів, властивості
Veröffentlicht 2024Volltext
Artikel -
2
Фотодеградація бензолу у водному розчині на допованому нітрогеном ТіО2, нанесеному на силікагель...
Veröffentlicht 2018Volltext
Artikel -
3
Електропровідність поверхні плівок SnO2:Sb, модифікованої Pd і Pt
Veröffentlicht 2014Volltext
Artikel -
4
Структура та морфологія плівок поліпіролу, хімічно осаджених на поліетилентерефталатні підкладки...
Veröffentlicht 2016
Volltext
Artikel -
5
Електрохімія літій-манганової шпінелі, модифікованої церієм, в апротонному та водному електролітах...
Veröffentlicht 2025
Volltext
Artikel -
6
ВПЛИВ ЛЕГУЮЧИХ МІКРОДОБАВОК VC, ТаС НА СТРУКТУРУ ТА ФІЗИКО-МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДОГО СПЛАВУ ВК10...
Veröffentlicht 2018Volltext
Artikel -
7
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
Veröffentlicht 2003Volltext
Artikel -
8
-
9
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
10
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
Veröffentlicht 2012Volltext
Artikel -
11
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
Veröffentlicht 2006Volltext
Artikel -
12
Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
13
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel -
14
Особливості процесів збудження фотолюмінесценції у кераміці оксиду цинку, легованої елементами І групи...
Veröffentlicht 2022
Volltext
Artikel