Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

Отримати повний текст

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе крем­ния за авторством Popov, V. M., Klimenko, A. S., Pokanevich, A. P., Shustov, Y. M., Gavrilyuk, I. I., Panin, A. I.

Отримати повний текст