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Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von
Vakiv, N. M.
,
Krukovskii, S. I.
,
Sukach, A. V.
,
Tetyorkin, V. V.
,
Mrykhin, I. A.
,
Mikhashchuk, Yu. S.
,
Krukovskii, R. S.
Veröffentlicht 2012
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Institution
Technology and design in electronic equipment
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Format
Artikel
1
Verfasser
Krukovskii, S. I.
1
Krukovskii, R. S.
1
Mikhashchuk, Yu. S.
1
Mrykhin, I. A.
1
Sukach, A. V.
1
Tetyorkin, V. V.
1
Vakiv, N. M.
1
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Sprache
Ukrainian
1
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