Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Отримати повний текст

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия за авторством Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Отримати повний текст

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии за авторством Krukovskyi, S. I.

Отримати повний текст

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами за авторством Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

Отримати повний текст