Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Volltext

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs... von Garkavenko, A. S.

Volltext

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs... von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей von Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.

Volltext

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext