Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Отримати повний текст

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs... за авторством Garkavenko, A. S.

Отримати повний текст

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей за авторством Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.

Отримати повний текст

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст