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Харвестер відкритої науки НАН України

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impurity layer pAlGaInAs–nGaAs heterojunction 1 potential series-connected barriers 1 single- and double-base structure 1 space charge layer 1 гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs 1 одно- и двухбазовая структура 1 потенциальные последовательно соединенные барьеры 1 примесный слой 1 слой объемного заряда 1
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    Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
    Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми...
    von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.
    Veröffentlicht 2009
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Technology and design in electronic equipment 1
Artikel 1
Abdulhaev, O. A. 1 Giyasova, F. A. 1 Juraev, D. R. 1 Karimov, A. V. 1 Yodgorova, D. M. 1 Zoirova, L. Kh 1
Ukrainian 1

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