Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Volltext

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

Volltext

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна von Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.

Volltext

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Volltext

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Volltext

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития von Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I.

Volltext

Вирощування товстих монокристалічних плівок La-заміщеного залізо-ітрієвого гранату з відновлювальними параметрами... von Yushchuk, S. I., Yuryev, S. O., Pokladok, N. T.

Volltext