Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ by Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Get full text

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии by Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

Get full text

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна by Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.

Get full text

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Get full text

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Get full text

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития by Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I.

Get full text

Вирощування товстих монокристалічних плівок La-заміщеного залізо-ітрієвого гранату з відновлювальними параметрами... by Yushchuk, S. I., Yuryev, S. O., Pokladok, N. T.

Get full text