Search Results :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Suggested Topics within your search. Suggested Topics within your search.

photodiode
фотодиод 12
фотодіод 8
silicon 5
sensitivity 4
dark current 3
кремній 3
чувствительность 3
кремний 2
темновий струм 2
DMOS-transistor 1
HgCdTe 1
I-V characteristic 1
III-nitrides 1
IR region 1
LED 1
MOCVD 1
automatic gain control 1
avalanche photodiode 1
background illumination 1
breakdown 1
computer design 1
contact 1
contactless measurement method 1
cooling 1
coordinate curve slope 1
coordinates 1
current-voltage characteristic 1
density of dislocations 1
design 1

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides by Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.

Удосконалення математичної моделі вимірювального перетворювача інтенсивності світлового потоку... by Кучерук, В. Ю., Кулаков, П. І., Гнесь, Т. В.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур by Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Двухспектральный фотоприемник by Dobrovol’sky, Yu. G., Komarov, E. V., Biksej, M. P.

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов by Ryuhtin, V. V., Dobrovolsky, Yu. G.

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники by Vikulin, I. М., Irkha, V. I., Korobitsyn, B. V., Gorbachev, V. E.

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу... by Kshevetskyi, Oleg, Dobrovolsky, Yuriy, Diachuk, Rostyslav

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO by Lipka, Volodymyr, Dobrovolsky, Yurii

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота by Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами... by Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра by Dobrovol’skii, Yu. G.

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах by Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.

Симметричный двухкоординатный фотодиод by Dobrovolskiy, Yu. G., Ryuhtin, V. V., Fedinchuk, I. I., Yurev, V. G.

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава by Dubeshko, A. V., Mihaevich, D. A.

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона by Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Gorokhov, E. V., Feshchenko, V. S., Talipov, N. Kh.

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю by Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм... by Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод by Dobrovolsky, Yu. G.

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe by Orlets’kyi, I.G., Ilashchuk, M.I., Maistruk, E.V., Parkhomenko, H.P., Maryanchuk, P.D.

Search Results

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides by Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.

Удосконалення математичної моделі вимірювального перетворювача інтенсивності світлового потоку... by Кучерук, В. Ю., Кулаков, П. І., Гнесь, Т. В.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур by Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Двухспектральный фотоприемник by Dobrovol’sky, Yu. G., Komarov, E. V., Biksej, M. P.

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов by Ryuhtin, V. V., Dobrovolsky, Yu. G.

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники by Vikulin, I. М., Irkha, V. I., Korobitsyn, B. V., Gorbachev, V. E.

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу... by Kshevetskyi, Oleg, Dobrovolsky, Yuriy, Diachuk, Rostyslav

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO by Lipka, Volodymyr, Dobrovolsky, Yurii

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота by Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами... by Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра by Dobrovol’skii, Yu. G.

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах by Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.

Симметричный двухкоординатный фотодиод by Dobrovolskiy, Yu. G., Ryuhtin, V. V., Fedinchuk, I. I., Yurev, V. G.

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава by Dubeshko, A. V., Mihaevich, D. A.

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона by Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Gorokhov, E. V., Feshchenko, V. S., Talipov, N. Kh.

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю by Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм... by Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод by Dobrovolsky, Yu. G.

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe by Orlets’kyi, I.G., Ilashchuk, M.I., Maistruk, E.V., Parkhomenko, H.P., Maryanchuk, P.D.

Search Tools:

Refine Results

Institution

Format

Author

Language

Year of Publication