Результати пошуку :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

photodiode
фотодиод 12
фотодіод 8
silicon 5
sensitivity 4
dark current 3
кремній 3
чувствительность 3
кремний 2
темновий струм 2
DMOS-transistor 1
HgCdTe 1
I-V characteristic 1
III-nitrides 1
IR region 1
LED 1
MOCVD 1
automatic gain control 1
avalanche photodiode 1
background illumination 1
breakdown 1
computer design 1
contact 1
contactless measurement method 1
cooling 1
coordinate curve slope 1
coordinates 1
current-voltage characteristic 1
density of dislocations 1
design 1

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides за авторством Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.

Удосконалення математичної моделі вимірювального перетворювача інтенсивності світлового потоку... за авторством Кучерук, В. Ю., Кулаков, П. І., Гнесь, Т. В.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Двухспектральный фотоприемник за авторством Dobrovol’sky, Yu. G., Komarov, E. V., Biksej, M. P.

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов за авторством Ryuhtin, V. V., Dobrovolsky, Yu. G.

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники за авторством Vikulin, I. М., Irkha, V. I., Korobitsyn, B. V., Gorbachev, V. E.

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO за авторством Lipka, Volodymyr, Dobrovolsky, Yurii

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота за авторством Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами... за авторством Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра за авторством Dobrovol’skii, Yu. G.

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах за авторством Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.

Симметричный двухкоординатный фотодиод за авторством Dobrovolskiy, Yu. G., Ryuhtin, V. V., Fedinchuk, I. I., Yurev, V. G.

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава за авторством Dubeshko, A. V., Mihaevich, D. A.

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона за авторством Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Gorokhov, E. V., Feshchenko, V. S., Talipov, N. Kh.

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю за авторством Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм... за авторством Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод за авторством Dobrovolsky, Yu. G.

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe за авторством Orlets’kyi, I.G., Ilashchuk, M.I., Maistruk, E.V., Parkhomenko, H.P., Maryanchuk, P.D.

Результати пошуку

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides за авторством Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.

Удосконалення математичної моделі вимірювального перетворювача інтенсивності світлового потоку... за авторством Кучерук, В. Ю., Кулаков, П. І., Гнесь, Т. В.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Двухспектральный фотоприемник за авторством Dobrovol’sky, Yu. G., Komarov, E. V., Biksej, M. P.

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов за авторством Ryuhtin, V. V., Dobrovolsky, Yu. G.

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники за авторством Vikulin, I. М., Irkha, V. I., Korobitsyn, B. V., Gorbachev, V. E.

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO за авторством Lipka, Volodymyr, Dobrovolsky, Yurii

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота за авторством Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами... за авторством Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра за авторством Dobrovol’skii, Yu. G.

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах за авторством Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.

Симметричный двухкоординатный фотодиод за авторством Dobrovolskiy, Yu. G., Ryuhtin, V. V., Fedinchuk, I. I., Yurev, V. G.

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава за авторством Dubeshko, A. V., Mihaevich, D. A.

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона за авторством Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Gorokhov, E. V., Feshchenko, V. S., Talipov, N. Kh.

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю за авторством Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм... за авторством Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод за авторством Dobrovolsky, Yu. G.

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe за авторством Orlets’kyi, I.G., Ilashchuk, M.I., Maistruk, E.V., Parkhomenko, H.P., Maryanchuk, P.D.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації