Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Volltext

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання... von Mollaamin, F.

Volltext

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs von Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Volltext

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs von Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Volltext

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... von Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.

Volltext

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа von Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Volltext

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... von Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Volltext

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом von Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Volltext

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ von Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I.

Volltext

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Volltext

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Volltext

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування... von Bahanov, Yevgen, Shutov, Stanislav, Tsybulenko, Vadym, Levytskyi, Anatolii

Volltext

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев von Andronova, О. V., Kurak, V. V.

Volltext

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії... von Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav

Volltext

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS von Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Volltext

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» von Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Volltext

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов von Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Volltext

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання... von Zaychenko, Yuriy, Starovoit, Tetiana

Volltext

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА von Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.

Volltext

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV... von Людвіченко, Олексій, Лєщук, Олександр, Гордєєв, Сергій, Анісін, Олександр

Volltext