Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання... von Mollaamin, F.

Volltext

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... von Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.

Volltext

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... von Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Volltext

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ von Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I.

Volltext

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS von Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Volltext

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» von Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Volltext

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов von Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Volltext

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV... von Людвіченко, Олексій, Лєщук, Олександр, Гордєєв, Сергій, Анісін, Олександр

Volltext

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів von Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.

Volltext

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах von Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.

Volltext

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу von Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.

Volltext