Suchergebnisse - "InSe"
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
- InSe 4
- ZnSe 4
- exciton 3
- heterojunction 3
- екситон 3
- X-ray induced luminescence 2
- direct transitions 2
- indirect transitions 2
- mixed crystals 2
- p-n-InSe 2
- photoelectric parameters 2
- quantum dot 2
- scintillator 2
- гетеропереход 2
- квантова точка 2
- непрямі переходи 2
- прямі переходи 2
- рентгенолюмінесценція 2
- сцинтилятор 2
- фотоэлектрические параметры 2
- (100) In4Se3 cleavage surface 1
- - 1
- CdSe photoanode 1
- CdSe фотоанод 1
- CdTeSe 1
- Cu2ZnSnSe4 crystals 1
- Dipole-центр 1
- FeIn₂Se₄ 1
- GaSe 1
- InS-film 1
-
1
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
Veröffentlicht 2007Volltext
Artikel -
2
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
3
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
Veröffentlicht 2006Volltext
Artikel -
4
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Veröffentlicht 2005Volltext
Artikel -
5
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
Veröffentlicht 2005Volltext
Artikel -
6
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
7
-
8
-
9
-
10
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
Veröffentlicht 2016
Volltext
Artikel -
11
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
Veröffentlicht 2018Volltext
Artikel -
12
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Veröffentlicht 2010Volltext
Artikel -
13
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона...
Veröffentlicht 2010Volltext
Artikel -
14
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
Veröffentlicht 2014Volltext
Artikel -
15
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань...
Veröffentlicht 2024Volltext
Artikel -
16
-
17
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
Veröffentlicht 2018Volltext
Artikel -
18
-
19
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
20