Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Solid-State Sources of Geterodyne Radiation at Submillimeter Wavelengths von Eru, I. I.

Volltext

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs von Melebayew, D., Melebayewa, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.

Volltext

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии... von Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.

Volltext

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Помножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурах von Karushkin, M. F.

Volltext

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами... von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.

Volltext

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs... von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Volltext

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза von Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.

Volltext