Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots von Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.

Volltext

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Volltext

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Volltext

InAs фотодіоди (огляд) von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.

Volltext

Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb von Якунин, М.В., Подгорных, С.М.

Volltext

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.

Volltext

Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures von Valakh, M.Ya., Strelchuk, V.V., Kolomys, O.F., Hartnagel, H.L., Sigmund, J.

Volltext

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures von Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Lisitsa, M.P., Lavoric, S.R., Zhuchenko, Z.Ya.

Volltext

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system von Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.

Volltext

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase von Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.

Volltext

Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs von Березовец, В.А., Моисеев, К.Д., Нижанковский, В.И., Михайлова, М.П., Парфеньев, Р.В., Яковлев, Ю.П.

Volltext

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs von Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

Volltext

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇... von Левченко, И.В., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Маланич, Г.П., Станецкая, А.С., Корчевой, А.А.

Volltext

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb von Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.

Volltext

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition von Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.

Volltext

Shunt current in InAs diffused photodiodes von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

Volltext

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I.

Volltext

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей von Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.

Volltext

Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением von Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.

Volltext

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки von Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.

Volltext