Suchergebnisse
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
- Статті 5.511
- Проблемы материальной культуры – ЭКОНОМИЧЕСКИЕ НАУКИ 2.767
- Научно-технический раздел 2.155
- Краткие сообщения 1.847
- Оригинальные статьи 1.305
- Рецензії 1.292
- Вітаємо 1.073
- Хроніка 922
- Вопросы духовной культуры – ФИЛОЛОГИЧЕСКИЕ НАУКИ 807
- Короткі повідомлення 775
- Неорганическая и физическая химия 774
- Производственный раздел 701
- Научные статьи 700
- Наукові статті 643
- Вопросы духовной культуры – ИСТОРИЧЕСКИЕ НАУКИ 642
- Хроника 639
- 626
- Розвідки 595
- Фауна и систематика 593
- Критика та бібліографія 590
- Повідомлення 575
- Математика 568
- Информация 560
- Хроніка та інформація 560
- Електричні машини та апарати 548
- Characterization and properties 511
- Історія 507
- Економіка 500
- Хімія 490
- Точка зрения 489
-
229521
The Diagnostics of Efficiency of Labor Norming of the Managerial Staff at Enterprise
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229522
Burins with Transverse Spall at the Upper Palaeolithic Settlement of Anetivka II
Veröffentlicht 2022Volltext
Artikel -
229523
The Essence of the Financial and Economic Security of Enterprise and Role of Controlling in its Ensuring
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229524
-
229525
-
229526
-
229527
-
229528
Atomic disordering and electron band structure in the Heusler alloy CoTiSb
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229529
Symmetry in a spherical-particle light scattering and a phase shift induced by a particle translation
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229530
Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229531
The effective mass of an impurity atom in the Bose liquid with a deformed Heisenberg algebra
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229532
-
229533
-
229534
Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229535
-
229536
-
229537
-
229538
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
Veröffentlicht 2017Volltext
Artikel -
229539
-
229540