Suchergebnisse
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
- Статті 5.511
- Проблемы материальной культуры – ЭКОНОМИЧЕСКИЕ НАУКИ 2.767
- Научно-технический раздел 2.155
- Краткие сообщения 1.847
- Оригинальные статьи 1.305
- Рецензії 1.292
- Вітаємо 1.073
- Хроніка 922
- Вопросы духовной культуры – ФИЛОЛОГИЧЕСКИЕ НАУКИ 807
- Короткі повідомлення 775
- Неорганическая и физическая химия 774
- Производственный раздел 701
- Научные статьи 700
- Наукові статті 643
- Вопросы духовной культуры – ИСТОРИЧЕСКИЕ НАУКИ 642
- Хроника 639
- 626
- Розвідки 595
- Фауна и систематика 593
- Критика та бібліографія 590
- Повідомлення 575
- Математика 568
- Информация 560
- Хроніка та інформація 560
- Електричні машини та апарати 548
- Characterization and properties 511
- Історія 507
- Економіка 500
- Хімія 490
- Точка зрения 489
-
286521
-
286522
-
286523
-
286524
-
286525
Formation of a density jump in the inhomogeneous isothermal plasma interacting with modulated electron beam
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286526
-
286527
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286528
-
286529
Energy spectrum of the pseudospin-electron model in a dynamical mean-field approach
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286530
-
286531
Stick-slip mode of boundary friction as the first-order phase transition
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286532
-
286533
-
286534
Cross-correlation method for the formation of laser energy fields with complex distributions
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286535
Analysis of Demographic Characteristics Based on E-Demography Data
Veröffentlicht 2022Volltext
Artikel -
286536
-
286537
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286538
Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286539
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
286540