Search Results - "Schottky barrier" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

1

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Published 2008

Get full text

Article

2

Solid-State Sources of Geterodyne Radiation at Submillimeter Wavelengths by Eru, I. I.

Published 2012

Get full text

Article

3

Балансный параметрический усилитель миллиметрового диапазона волн by Касьяненко, А.П., Сухоручко, О.Н.

Published in Радиофизика и радиоастрономия (2000)

Get full text

Article

4

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Published 2007

Get full text

Article

5

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs by Melebayew, D., Melebayewa, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.

Published 2008

Get full text

Article

6

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии... by Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.

Published 2010

Get full text

Article

7

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Published 2009

Get full text

Article

8

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots by Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.

Published in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)

Get full text

Article

9

Помножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурах by Karushkin, M. F.

Published 2018

Get full text

Article

10

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions by Nevirkovets, I.P., Shafranjuk, S.E., Chernyashevskyy, O., Masilamani, N., Ketterson, J.B.

Published in Физика низких температур (2014)

Get full text

Article

11

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами... by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.

Published 2013

Get full text

Article

12

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Published 2010

Get full text

Article

13

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза by Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.

Published 2011

Get full text

Article

14

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe by Melezhik, Ye.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F.

Published in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Get full text

Article

Search Results - "Schottky barrier"

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Solid-State Sources of Geterodyne Radiation at Submillimeter Wavelengths by Eru, I. I.

Балансный параметрический усилитель миллиметрового диапазона волн by Касьяненко, А.П., Сухоручко, О.Н.

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs by Melebayew, D., Melebayewa, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии... by Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots by Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.

Помножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурах by Karushkin, M. F.

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions by Nevirkovets, I.P., Shafranjuk, S.E., Chernyashevskyy, O., Masilamani, N., Ketterson, J.B.

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза by Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe by Melezhik, Ye.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F.

Search Tools:

Refine Results

Institution

Format

Author

Language

Year of Publication

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs... by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.