Результати пошуку - "GA" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

GaAs 3
- 2
Auger recombination 2
GaN transistors 2
GaP 2
InGaN quantum wells 2
InGaN квантовi ями 2
atomic disorder 2
computer simulation 2
атомна невпорядкованiсть 2
комп’ютерне моделювання 2
оже-рекомбiнацiя 2
621.314 1
ACO 1
AIIIBV 1
ANFIS 1
Ag@InGaN 1
AlGaN/GaN heterostructures 1
Class-D amplifier 1
DFT 1
Energy-saving 1
GA 1
Ga2O3 1
Ga2S3–GeS2–Sb2S3 system 1
GaN 1
GaN транзистори 1
GaN-транзистори 1
GaSb substrate 1
GaSe 1
Ga–Sn molten alloys 1

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs за авторством Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs за авторством Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев за авторством Andronova, О. V., Kurak, V. V.

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії... за авторством Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS за авторством Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» за авторством Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов за авторством Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання... за авторством Zaychenko, Yuriy, Starovoit, Tetiana

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА за авторством Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.

Результати пошуку - "GA"

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs за авторством Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs за авторством Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев за авторством Andronova, О. V., Kurak, V. V.

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії... за авторством Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS за авторством Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» за авторством Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов за авторством Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання... за авторством Zaychenko, Yuriy, Starovoit, Tetiana

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА за авторством Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації