Результати пошуку - "GaAs" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

GaAs 7
- 2
AlGaN/GaN heterostructures 2
Auger recombination 2
GaN transistors 2
GaP 2
GaSb 2
GaSe 2
InGaN quantum wells 2
InGaN квантовi ями 2
atomic disorder 2
computer simulation 2
liquid phase epitaxy 2
атомна невпорядкованiсть 2
жидкофазная эпитаксия 2
комп’ютерне моделювання 2
оже-рекомбiнацiя 2
621.314 1
ACO 1
AIIIBV 1
ANFIS 1
AlGaAs–GaAs heterostructures 1
CdS 1
Class-D amplifier 1
GA 1
Ga2S3–GeS2–Sb2S3 system 1
GaN 1
GaN транзистори 1
GaN-транзистори 1
GaSb substrate 1

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs за авторством Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников за авторством Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей... за авторством Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки за авторством Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия за авторством Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях за авторством Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники за авторством Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия за авторством Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев за авторством Andronova, О. V., Kurak, V. V.

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн за авторством Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Результати пошуку - "GaAs"

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs за авторством Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников за авторством Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей... за авторством Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки за авторством Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия за авторством Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях за авторством Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники за авторством Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия за авторством Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев за авторством Andronova, О. V., Kurak, V. V.

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн за авторством Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації