Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Отримати повний текст

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання... за авторством Mollaamin, F.

Отримати повний текст

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs за авторством Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.

Отримати повний текст

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.

Отримати повний текст

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Отримати повний текст

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Отримати повний текст

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Отримати повний текст

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ за авторством Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I.

Отримати повний текст

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування... за авторством Bahanov, Yevgen, Shutov, Stanislav, Tsybulenko, Vadym, Levytskyi, Anatolii

Отримати повний текст

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев за авторством Andronova, О. V., Kurak, V. V.

Отримати повний текст

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії... за авторством Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav

Отримати повний текст

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS за авторством Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Отримати повний текст

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» за авторством Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Отримати повний текст

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання... за авторством Zaychenko, Yuriy, Starovoit, Tetiana

Отримати повний текст

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА за авторством Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.

Отримати повний текст