Результати пошуку - "InSe" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

InSe 5
ZnSe 4
heterojunction 4
exciton 3
гетеропереход 3
екситон 3
GaSe 2
X-ray induced luminescence 2
direct transitions 2
indirect transitions 2
mixed crystals 2
p-n-InSe 2
photoelectric parameters 2
quantum dot 2
scintillator 2
ІnSe 2
квантова точка 2
непрямі переходи 2
прямі переходи 2
рентгенолюмінесценція 2
сцинтилятор 2
фотоэлектрические параметры 2
(100) In4Se3 cleavage surface 1
- 1
Bi-Te-Se-Sb solid solution crystals 1
CdSe photoanode 1
CdSe фотоанод 1
CdTeSe 1
Cu2ZnSnSe4 crystals 1
Dipole-центр 1

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) за авторством Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ за авторством Balitsky, A. A.

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена за авторством Rusetskii, I. A., Slobodyanyuk, I. A., Danilov, M. O., Kolbasov, G. Ya.

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 за авторством Galiy, P. V.

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань... за авторством Kondrik , Оleksandr

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок... за авторством Bondar, N.V., Piryatinski, Yu.P., Tverdochlibova, O.V.

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.

Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности за авторством Dobrovolsky, Yu. G., Romanyuk, I. S., Ashcheulov, A. A.

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x за авторством Trubaeva, O. G., Chaika, M. A., Galkin, S. M., Lalayants, A. I., Nepokupna, T. A.

Результати пошуку - "InSe"

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) за авторством Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры &quot;окисел–InSe–окисел&quot; за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ за авторством Balitsky, A. A.

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена за авторством Rusetskii, I. A., Slobodyanyuk, I. A., Danilov, M. O., Kolbasov, G. Ya.

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 за авторством Galiy, P. V.

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань... за авторством Kondrik , Оleksandr

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок... за авторством Bondar, N.V., Piryatinski, Yu.P., Tverdochlibova, O.V.

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.

Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности за авторством Dobrovolsky, Yu. G., Romanyuk, I. S., Ashcheulov, A. A.

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x за авторством Trubaeva, O. G., Chaika, M. A., Galkin, S. M., Lalayants, A. I., Nepokupna, T. A.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.