АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ за авторством Румянцева, Ю. Ю., Бушля, В. Н., Ошовська, А. Ю., Туркевич, В. З.

Отримати повний текст

Технология изготовления контактов к карбиду кремния за авторством Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya.

Отримати повний текст

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si за авторством Kidalov, V. V., Dyadenchuk, A. F., Zhuk, A. G., Gudimenko, O. Y., Simchenko, S. V.

Отримати повний текст

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію... за авторством Semenov, Alexander, Lubov, Denis

Отримати повний текст

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.

Отримати повний текст

МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ... за авторством Петруша, Ігор, Бушля, Володимир, Осіпов, Александр, Мельнійчук, Юрій, Запорожець, Олег, Михайловський, Владислав, Білявина, Надія, Смірнова, Тамара

Отримати повний текст

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3... за авторством Semenov, O. V., Lopin, A. V., Boriskin, V. N.

Отримати повний текст

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ за авторством Ковбаса, С.М., Вербовий, Ю.В., Коломійчук , Є.В.

Отримати повний текст