Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots за авторством Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.

Отримати повний текст

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Отримати повний текст

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Отримати повний текст

InAs фотодіоди (огляд) за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.

Отримати повний текст

Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb за авторством Якунин, М.В., Подгорных, С.М.

Отримати повний текст

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.

Отримати повний текст

Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures за авторством Valakh, M.Ya., Strelchuk, V.V., Kolomys, O.F., Hartnagel, H.L., Sigmund, J.

Отримати повний текст

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures за авторством Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Lisitsa, M.P., Lavoric, S.R., Zhuchenko, Z.Ya.

Отримати повний текст

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.

Отримати повний текст

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.

Отримати повний текст

Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs за авторством Березовец, В.А., Моисеев, К.Д., Нижанковский, В.И., Михайлова, М.П., Парфеньев, Р.В., Яковлев, Ю.П.

Отримати повний текст

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs за авторством Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

Отримати повний текст

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇... за авторством Левченко, И.В., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Маланич, Г.П., Станецкая, А.С., Корчевой, А.А.

Отримати повний текст

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb за авторством Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.

Отримати повний текст

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition за авторством Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.

Отримати повний текст

Shunt current in InAs diffused photodiodes за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

Отримати повний текст

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I.

Отримати повний текст

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей за авторством Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.

Отримати повний текст

Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением за авторством Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.

Отримати повний текст

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки за авторством Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.

Отримати повний текст