Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds за авторством Korsunskaya, N. E., Markevich, I. V., Dzhumaev, B. R., Borkovskaya, L. V., Sheinkman, M. K.

Отримати повний текст

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.

Отримати повний текст

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals за авторством Bogoboyashchiy, V.V.

Отримати повний текст

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films за авторством Mamikonova, V.M., Kasimov, F.D., Kemerchev, G.P.

Отримати повний текст

Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method за авторством Avramenko, S.F., Kiselev, V.S., Valakh, M.Ya., Visotski, V.G.

Отримати повний текст

Energy levels of rare-earth ions in crystal lattice sites of cubic symmetry за авторством Ammerlaan, C.A.J.

Отримати повний текст

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Економічні та соціальні проблеми розвитку пенсійної системи України (на прикладі м. Києва) за авторством Вернигора, Н.Ф.

Отримати повний текст

Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection за авторством Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

Отримати повний текст

Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As за авторством Figielski, T., Wosinski, T., Morawski, A., Pelya, O., Makosa, A., Dobrowolski, W., Wrobel, J., Sadowski, J., Jagielski, J., Ratajczak, J.

Отримати повний текст

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE за авторством Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.

Отримати повний текст

Electron emission modulation effects in micro-size structures за авторством Hartnagel, H.

Отримати повний текст

Changes of anisotropy of dilatative and optical properties of DGN crystal at ferroelectric phase transition за авторством Andriyevsky, B.V., Romanyuk, M.O., Dumka, Yu.A.

Отримати повний текст

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Отримати повний текст

Iodine-stabilized He-Ne laser pumped by transverse rf-discharge за авторством Boyko, O.V., Negriyko, A.M., Yatsenko, L.P.

Отримати повний текст

Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals за авторством Elizarov, A.I., Kurbanov, K.R., Bogoboyashchyy, V.V.

Отримати повний текст

Смертність від вбивств в Україні: соціальна нерівність винуватців і жертв злочинів за авторством Левчук, Н.М.

Отримати повний текст

Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material за авторством Zabello, E., Syaber, V., Khizhnyak, A.

Отримати повний текст

Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique за авторством Serdega, B.K., Venger, Ye.F., Nikitenko, Ye.V.

Отримати повний текст

The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors за авторством Kamuz, A.M., Oleksenko, P.Ph., Kamuz, O.A., Kamuz, V.G.

Отримати повний текст