Organic iso-type pentacene – lead phthalocyanine heterostructures за авторством Vertsimakha, Ya.I., Lutsyk, P.M.

Отримати повний текст

Mutual interactions between objects oscillating in isotopically pure superfluid ⁴He in the T → 0 limit за авторством Garg, D., Efimov, V.B., Giltrow, M., McClintock, P.V.E., Skrbek, L.

Отримати повний текст

Method of trial distribution function for quantum turbulence за авторством Nemirovskii, S.K.

Отримати повний текст

ESR studies of nitrogen atoms stabilized in aggregates of krypton–nitrogen nanoclusters immersed in superfluid helium за авторством Mao, S., Boltnev, R.E., Khmelenko, V.V., Lee, D.M.

Отримати повний текст

Влияние сверхтекучести на конденсацию примесей в жидком гелии за авторством Гордон, Е.Б.

Отримати повний текст

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid за авторством Tomashik, Z.F., Danylenko, S.G., Tomashik, V.N.

Отримати повний текст

ENDOR study of irradiated tooth enamel за авторством Ishchenko, S., Vorona, I., Okulov, S.

Отримати повний текст

Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications за авторством Usenko, A.Y., Carr, W.N.

Отримати повний текст

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes за авторством Belyaev, A.A., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Vitusevich, S.A., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Kravchenko, L.N., Figielski, T., Wosinski, T., Makosa, A.

Отримати повний текст

IR sensor readout devices with source input circuits за авторством Sizov, F.F., Reva, V.P., Derkach, Yu.P., Kononenko, Yu.G., Golenkov, A.G., Korinets, S.V., Darchuk, S.D., Filenko, D.A.

Отримати повний текст

Страховий захист індивідуума у процесі рекреації за авторством Охріменко, О.О.

Отримати повний текст

Resistance thermometers based on the germanium films за авторством Mitin, V.F.

Отримати повний текст

Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds за авторством Korsunskaya, N. E., Markevich, I. V., Dzhumaev, B. R., Borkovskaya, L. V., Sheinkman, M. K.

Отримати повний текст

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.

Отримати повний текст

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals за авторством Bogoboyashchiy, V.V.

Отримати повний текст

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films за авторством Mamikonova, V.M., Kasimov, F.D., Kemerchev, G.P.

Отримати повний текст

Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method за авторством Avramenko, S.F., Kiselev, V.S., Valakh, M.Ya., Visotski, V.G.

Отримати повний текст

Energy levels of rare-earth ions in crystal lattice sites of cubic symmetry за авторством Ammerlaan, C.A.J.

Отримати повний текст

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Економічні та соціальні проблеми розвитку пенсійної системи України (на прикладі м. Києва) за авторством Вернигора, Н.Ф.

Отримати повний текст