Difference harmonic generation due to spin-flip transitions in an asymmetric quantum well за авторством Korovin, A.V.

Отримати повний текст

Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation за авторством Rozhin, A.G., Klyui, N.I., Litovchenko, V.G., Melnik, V.P., Romanyuk, B.N., Piryatinskii, Yu.P.

Отримати повний текст

Требования к авторам

Отримати повний текст

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes за авторством Vlasenko, N.A., Kononets, Ya.F., Denisova, Z.L., Kopytko, Yu.V., Veligura, L.I., Soininen, El., Tornqvist, R.O., Vasama, K.M.

Отримати повний текст

Optical biosensors based on the surface plasmon resonance phenomenon: optimization of the metal layer parameters за авторством Snopok, B.A., Kostyukevich, K.V., Lysenko, S.I., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Mamykin, S.V., Zynyo, S.A., Shepelyavyj, P.E., Kostyukevich, S.A., Shirshov, Yu.M., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Using non-organic resist based on As-S-Se chalcogenide glasses for combined optical/digital security devices за авторством Kostyukevych, S.A., Moskalenko, N.L., Shepeliavyi, P.E., Girnyk, V.I., Tverdokhleb, I.V., Ivanovsky, A.A.

Отримати повний текст

Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga film phosphors за авторством Lytvyn, O.S., Khomchenko, V.S., Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Prokopenko, I.V., Rodionov, V.Ye., Tzyrkunov, Yu.A.

Отримати повний текст

Features of electrical charge transfer in porous silicon за авторством Monastyrskii, L.S.

Отримати повний текст

Author Index 2009

Отримати повний текст

Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs за авторством Lysenko, V.S., Tyagulski, I.P., Gomeniuk, Y.V., Osiyuk, I.N.

Отримати повний текст

Author Index 2010

Отримати повний текст

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments за авторством Litovchenko, V.G., Efremov, A.A., Evtukh, A.A., Rassamakin, Yu.V., Klyui, M.I., Kostylov, V.P.

Отримати повний текст

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide за авторством Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

Отримати повний текст

Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films за авторством Agaev, F.G.

Отримати повний текст

Features of conduction electrons motion in the field of coherent light beams за авторством Semchuk, O.Yu., Willander, M., Karlsteen, M.

Отримати повний текст

Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers за авторством Stronski, A.V.

Отримати повний текст

X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg за авторством Fedorov, A.G., Zagoruiko, Yu.A., Fedorenko, O.A., Kovalenko, N.O.

Отримати повний текст

Organosilicon luminencent compositions for scintillation detectors за авторством Andryuschenko, L.A., Goriletsky, V.I., Grinyov, B.V., Gavrilyuk, V.P., Zosim, D.I., Skripkina, V.T., Shershykov, V.M.

Отримати повний текст

GSO: Ce³⁺ scintillator with a high energy resolution за авторством Bondar, V.G., Gavrilyuk, V.P., Konevskii, V.S., Krivonosov, E.V., Martynov, V.P., Savvin, Yu.N.

Отримати повний текст

Spectral properties of reflective interference filters за авторством Pervak, V.Yu., Poperenko, L.V., Pervak, Yu.A.

Отримати повний текст