Analysis of dynamic parameters of the KY-crystallization process за авторством Kryvonosov, Ie.V., Lytvynov, L.A.

Отримати повний текст

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter за авторством Datsko, Yu.N., Rebrova, T.P., Cherginets, V.L., Naumenko, V.A., Rebrov, A.L., Mateychenko, P.V., Vjunnik, I.N.

Отримати повний текст

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film за авторством Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Lisovskyy, I.P., Khacevych, I.M., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Voitovych, M.V.

Отримати повний текст

The nature of red emission in porous silicon за авторством Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.E., Bulakh, B.M., Sheinkman, M.K., Stara, T.R.

Отримати повний текст

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Отримати повний текст

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions за авторством Hodovaniouk, V.M., Doktorovych, I.V., Butenko, V.K., Yuryev, V.H., Dobrovolsky, Yu.G.

Отримати повний текст

Synthesis of highly doped Nd:YAG powder by the SOL-GEL method за авторством Hajiesmaeilbaigi, F., Farmahini, M. F., Hasani, J.B.

Отримати повний текст

Novel SnO₂ based optical sensor for detectin of low ammonia concentration in water at room temperatures за авторством Pisco, M., Consales, M., Viter, R., Smyntyna, V., Campopiano, S., Giordano, M., Cusano, A., Cutolo, A.

Отримати повний текст

Filter for TV and video cameras за авторством Berezhinsky, L.I., Dae-Yong Park, Chang-Min Sung, Kwang-Ho Kwon, Sang-Hoon Chai

Отримати повний текст

Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe за авторством Ostapov, S.E., Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V.

Отримати повний текст

Асиметрична інформація на ринку медичного страхування за авторством Ніколаєнко, С.М.

Отримати повний текст

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study за авторством Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.

Отримати повний текст

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment за авторством Nazarov, A.N., Skorupa, W., Vovk, Ja.N., Osiyuk, I.N., Tkachenko, A.S., Tyagulskii, I.P., Lysenko, V.S., Gebel, T., Rebohle, L., Yankov, R.A., Nazarova, T.M.

Отримати повний текст

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.

Отримати повний текст

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode за авторством Kosyachenko, L.A., Maslyanchuk, O.L.

Отримати повний текст

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure за авторством Wierzchowski, W., Misiuk, A., Wieteska, K., Bak-Misiuk, J., Jung, W., Shalimov, A., Graeff, W., Prujszczyk, M.

Отримати повний текст

Effect of non-linear absorption on characteristics of laser-induced luminescence за авторством Zelensky, S.E., Okhrimenko, B.A.

Отримати повний текст

Parametrized Equations for Excitons in Quantum Wires за авторством El Haddad, A., Diouri, J., Taqi, A.

Отримати повний текст

The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge за авторством Poroshin, V.N., Sarbey, O.G.

Отримати повний текст

Inversion asymmetry effect on quantum oscillations in 3-D crystals with Cnv symmetry за авторством Ivchenko, V.V., Sergeev, A.N., Elnik, V.S., Chuiko, G.P.

Отримати повний текст