Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

Отримати повний текст

A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures за авторством Sachenko, A.V., Kryuchenko, Yu.V., Manoilov, E.G., Kaganovich, E.B.

Отримати повний текст

Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface за авторством Makara, V.A., Melnichenko, M.M., Svezhentsova, K.V., Khomenkova, L.Yu., Shmyryeva, O.M.

Отримати повний текст

Optical properties of ZnO aggregates in KBr matrix за авторством Samah, M., Bouguerra, M., Khelfane, H.

Отримати повний текст

Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate за авторством Kaganovich, E.B., Kizyak, I.M., Kirillova, S.I., Konakova, R.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Manoilov, E.G., Primachenko, V.E., Prokopenko, I.V.

Отримати повний текст

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

Отримати повний текст

Thermally stimulated luminescence studies of undoped and doped CaB₄O₇ compounds за авторством Manam, J., Sharma, S.K.

Отримати повний текст

The study of the lifetime of ZnS-based luminescent films by using the devices of LMS series за авторством Popovych, K., Nakonechny, Yu., Rubish, I., Gerasimov, V., Leising, G.

Отримати повний текст

Configuration interaction in delta-doped heterostructures за авторством Rozhansky, I.V., Averkiev, N.S., Lähderanta, E.

Отримати повний текст

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь за авторством Вальков, В.В., Аксенов, С.В., Уланов, Е.А.

Отримати повний текст

О возбуждении спинового тока звуковой волной за авторством Ляпилин, И.И.

Отримати повний текст

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram за авторством Kagalovsky, V.

Отримати повний текст

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами... за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

The 60th anniversary of Ivan Vakarchuk

Отримати повний текст

Про основні результати діяльності Міжнародної асоціації академій наук у 2005 р. і подальший розвиток міжнародного наукового співробітництва (Доповідь президента МААН академіка НАН... за авторством Патон, Б.Є.

Отримати повний текст

To the memory of Yuri Rudavskii

Отримати повний текст

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла... за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

Vacuum method for creation of liquid crystal orienting microrelief за авторством Kolomzarov, Yu., Oleksenko, P., Sorokin, V., Tytarenko, P., Zelinskyy, R.

Отримати повний текст

Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure за авторством Aw, K.C., Ibrahim, K.

Отримати повний текст

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures за авторством Sachenko, A.V., Gorban, A.P., Korbutyak, D.V., Kostylyov, V.P., Kryuchenko, Yu.V., Chernenko, V.V.

Отримати повний текст