Влияние холодной обработки металла на проводимость наноконтактов платины, меди и серебра за авторством Шкляревский, О.И., Янсон, И.К.

Отримати повний текст

Игорь Кондратьевич Янсон (1938–2011). К 75-летию со дня рождения за авторством Найдюк, Ю. Г.

Отримати повний текст

New directions in point-contact spectroscopy based on scanning tunneling microscopy techniques (Review Article) за авторством Tartaglini, E., Verhagen, T.G.A., Galli, F., Trouwborst, M.L., Müller, R., Shiota, T., Aarts, J., van Ruitenbeek, J.M.

Отримати повний текст

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses за авторством Vakiv, M., Golovchak, R., Chalyy, D., Shpotyuk, M., Ubizskii, S., Shpotyuk, O.

Отримати повний текст

Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)₂ polycrystals near phase transitions за авторством Rosul, R.R., Guranich, P.P., Gomonnai, O.O., Slivka, A.G., Rigan, M.Yu., Rubish, V.M., Guranich, O.G., Gomonnai, A.V.

Отримати повний текст

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs за авторством Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.

Отримати повний текст

Wigner function description of a qubit-oscillator system за авторством Allen, J., Zagoskin, A.M.

Отримати повний текст

Macroscopic quantum tunneling and retrapping processes in moderately damped YBaCuO Josephson junctions за авторством Massarotti, D., Longobardi, L., Galletti, L., Stornaiuolo, D., Rotoli, G., Tafuri, F.

Отримати повний текст

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Duplavyy, V.Y., Sydor, O.M.

Отримати повний текст

Electron tunneling into surface states through an inhomogeneous barrier: asymptotically exact solution of the problem and STM theory за авторством Khotkevych, N.V., Kolesnichenko, Yu.A., van Ruitenbeek, J.M.

Отримати повний текст

Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu₂S за авторством Borschak, V.A., Brytavskyi, Ie.V., Smyntyna, V.A., Lepikh, Ya.I., Balaban, A.P., Zatovskaya, N.P.

Отримати повний текст

Cathodic corrosion: Part 1. Mechanism of corrosion via formation of metal anions in aqueous medium за авторством Yanson, Yu.I., Yanson, A.I.

Отримати повний текст

Cathodic corrosion: Part 2. Properties of nanoparticles synthesized by cathodic corrosion за авторством Yanson, A.I., Yanson, Yu.I.

Отримати повний текст

Надбарьерное отражение блоховской точки в одноосных ферромагнетиках с сильной магнитной анизотропией... за авторством Шевченко, А.Б., Барабаш, М.Ю.

Отримати повний текст

Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements за авторством Gomeniuk, Yu.V.

Отримати повний текст

Experimental and theoretical study of stimulated Raman scattering indicatrix asymmetry за авторством Dmitriev, M.V., Isaienko, O.Iu., Ivanisik, А.І., Korotkov, P.A.

Отримати повний текст

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters за авторством Sarikov, A., Naseka, V.

Отримати повний текст

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.

Отримати повний текст

Optimal cooling of a driven artificial atom in dissipative environment за авторством Du, Lingjie, Yu, Yang, Lan, D.

Отримати повний текст

Современные теоретико-методологические проблемы управления развитием трудовых процессов за авторством Быстряков, И.К.

Отримати повний текст