Evidence of hydroxyl radical created by DBD plasma in water and its application in dye wastewater remediation за авторством Wang Ying, Wang Weiwei, Ji Yingchao, Li Hong, Wang Qiuhong

Отримати повний текст

Computer simulation of the compressive failure of porous material through Distinct Lattice Spring Model за авторством You Shuang, Zhao Gaofeng, Ji Hongguang

Отримати повний текст

Analysis of dynamic parameters of the KY-crystallization process за авторством Kryvonosov, Ie.V., Lytvynov, L.A.

Отримати повний текст

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter за авторством Datsko, Yu.N., Rebrova, T.P., Cherginets, V.L., Naumenko, V.A., Rebrov, A.L., Mateychenko, P.V., Vjunnik, I.N.

Отримати повний текст

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film за авторством Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Lisovskyy, I.P., Khacevych, I.M., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Voitovych, M.V.

Отримати повний текст

Освіта в умовах знаннєвої економіки: зарубіжний досвід за авторством Карпюк, О.А.

Отримати повний текст

The nature of red emission in porous silicon за авторством Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.E., Bulakh, B.M., Sheinkman, M.K., Stara, T.R.

Отримати повний текст

Theory of two-dimensional photonic crystals with lamellar cylindrical pores за авторством Glushko, A.E., Glushko, E.Ya., Karachevtseva, L.A.

Отримати повний текст

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces за авторством Dmitruk, N.L., Borkovskaya, O.Yu., Kostylyov, V.E., Sachenko, A.V., Sokolovskiy, I.O.

Отримати повний текст

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Отримати повний текст

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions за авторством Hodovaniouk, V.M., Doktorovych, I.V., Butenko, V.K., Yuryev, V.H., Dobrovolsky, Yu.G.

Отримати повний текст

Synthesis of highly doped Nd:YAG powder by the SOL-GEL method за авторством Hajiesmaeilbaigi, F., Farmahini, M. F., Hasani, J.B.

Отримати повний текст

Novel SnO₂ based optical sensor for detectin of low ammonia concentration in water at room temperatures за авторством Pisco, M., Consales, M., Viter, R., Smyntyna, V., Campopiano, S., Giordano, M., Cusano, A., Cutolo, A.

Отримати повний текст

Filter for TV and video cameras за авторством Berezhinsky, L.I., Dae-Yong Park, Chang-Min Sung, Kwang-Ho Kwon, Sang-Hoon Chai

Отримати повний текст

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs за авторством Golenkov, A.G., Zhuravlev, K.S., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Lysiuk, I.O., Sizov, F.F.

Отримати повний текст

Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe за авторством Ostapov, S.E., Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V.

Отримати повний текст

Асиметрична інформація на ринку медичного страхування за авторством Ніколаєнко, С.М.

Отримати повний текст

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study за авторством Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.

Отримати повний текст

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment за авторством Nazarov, A.N., Skorupa, W., Vovk, Ja.N., Osiyuk, I.N., Tkachenko, A.S., Tyagulskii, I.P., Lysenko, V.S., Gebel, T., Rebohle, L., Yankov, R.A., Nazarova, T.M.

Отримати повний текст

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.

Отримати повний текст