The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors за авторством Fedorenko, L.L., Linnik, L.F., Linnik, L.G., Yusupov, M.M., Solovyov, E.A., Sirmulis, E.

Отримати повний текст

Effect of symmetry center losses on energy bands and carrier kinematics in Zn₃As₂ and Cd₃As₂ за авторством Chuiko, G., Don, N., Martyniuk, V., Stepanchikov, D.

Отримати повний текст

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.

Отримати повний текст

Modelling of micro- and nanodomain arrays recorded in ferroelectrics-semiconductors by using atomic force microscopy за авторством Morozovska, A.N.

Отримати повний текст

Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs за авторством Khemissi, S., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y., Amourache, S.

Отримати повний текст

Громадські організації та рухи України періоду Великої Вітчизняної війни у сучасній історіографії... за авторством Головко, М.Л.

Отримати повний текст

Fabrication and characterization of a 0.14 μm CMOS device using ATHENA and ATLAS simulators за авторством Ahmad, Ibrahim, Ho, Yeap Kim, Majlis, Burhanuddin Yeop

Отримати повний текст

Third order nonlinear optical response of PbS quantum dots за авторством Chowdhury, S., Hussain, A.M.P., Ahmed, G.A., Mohanta, D., Choudhury, A.

Отримати повний текст

Analysis of radiation patterns and feed illumination of the reflector antenna using the physical and geometrical optics за авторством Merabtine, N., Boualleg, A., Benslama, M.

Отримати повний текст

Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses за авторством Ismail, Raid A., Koshapa, Jospen, Abdulrazaq, Omar A.

Отримати повний текст

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures за авторством Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M.

Отримати повний текст

Micropatterning in bistable cholesteric device with Bragg's reflection за авторством Gritsenko, M.I., Kucheev, S.I., Lytvyn, P.M., Tishenko, V.G., Tkach, V.M., Yelshansky, V.B.

Отримати повний текст

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation за авторством Houk, Y., Nazarov, A.N., Turchanikov, V.I., Lysenko, V.S., Andriaensen, S., Flandre, D.

Отримати повний текст

CdSe nanoparticles grown with different chelates за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Davydenko, M.O., Dmytruk, A.M., Dmitruk, I.M., Lytvyn, P.M., Prokopenko, I.V., Romanyuk, V.R.

Отримати повний текст

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x за авторством Venger, E.F., Knorozok, L.M., Melnichuk, L.Yu., Melnichuk, O.V.

Отримати повний текст

Discrimination of the saturated vapours of alcohols by the responses of assembly of piezoquartz sensors covered with metal stearates and their complexes with octadecylamine за авторством Filippov, A.P., Strizhak, P.E., Denisyuk, D.I., Serebry, T.G., Ivaschenko, T.S.

Отримати повний текст

Депортації народів Криму в роки Другої світової війни через призму документів радянських спецслужб... за авторством Бажан, О.Г.

Отримати повний текст

Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals за авторством Makara, V.A., Steblenko, L.P., Kolchenko, Yu.L., Naumenko, S.M., Lisovsky, I.P., Mazunov, D.O., Mokliak, Yu.Yu.

Отримати повний текст

Mass-spectrometric investigations of gas evolution за авторством Asnis, Yu.A., Baranskii, P.I., Babich, V.M., Zabolotin, S.P., Ptushinskii, Yu.G., Sukretnyi, V.G.

Отримати повний текст

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta за авторством Madatov, R.S., Tagiyev, B.G., Najafov, A.I., Tagiyev, T.B., Gabulov, I.A., Shakili, Sh.P.

Отримати повний текст