Статистичні властивості нейтронних систем та їхнє використання для вимірювання характеристик ядерно-небезпечних об’єктів АЕС. (Тема 10)... за авторством Павлович, В.М., Кучмагра, О.А.

Отримати повний текст

Розробка науково-технічних засад та обґрунтування принциповихтехнологічних рішеньщодо вилучення ПВМ із об’єкта "Укриття"з використанням майбутнього безпечного конфайнмента та створ... за авторством Щербін, В.Н., Балан, О.В., Батій, В.Г., Рудько, В.М.

Отримати повний текст

Наукові засади, технології й матеріали управління технічним станом підвищення безпеки, енергетичної та екологічної ефективності електро- та теплоенергетичного обладнання блоків АЕС... за авторством Федоренко, Г.М., Фіалко, Н.М., Шараєвський, І.Г., Зімін, Л.Б., Кенсицький, О.Г., Виговський, О.В.

Отримати повний текст

Науково-методичне забезпечення робіт на етапах зняття з експлуатації енергоблоків атомних електричних станцій. (Тема 15)... за авторством Носовський, А.В., Богорад, В.І.

Отримати повний текст

Моделювання та управління важкими аваріями на діючих вітчизняних атомних електростанціях. (Тема 16)... за авторством Скалозубов, В.І., Комаров, Ю.О., Габлая, Т.В.

Отримати повний текст

Видавнича діяльність

Отримати повний текст

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники как материалы спиновой электроники за авторством Лашкарев, Г.В., Радченко, М.В., Карпина, В.А., Сичковский, В.И.

Отримати повний текст

Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках за авторством Кульбачинский, В.А., Гурин, П.В., Тарасов, П.М., Давыдов, А.Б., Данилов, Ю.А., Вихрова, О.В.

Отримати повний текст

Vertical spin transport in semiconductor heterostructures за авторством Sankowski, P., Kacman, P., Majewski, J.A., Dietl, T.

Отримати повний текст

Время релаксации, динамический, релаксированный и нерелаксированный модули упругости в ZnSe:Cr, исследованные с помощью ультразвуковых волн... за авторством Гудков, В.В., Лончаков, А.Т., Соколов, В.И., Жевстовских, И.В.

Отримати повний текст

Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe за авторством Соколов, В.И., Лончаков, А.Т., Подгорных, С.М., Дубинин, С.Ф., Теплоухов, С.Г., Пархоменко, В.Д., Груздев, Н.Б.

Отримати повний текст

Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников... за авторством Окулов, В.И., Говоркова, Т.Е., Гудков, В.В., Жевстовских, И.В., Королев, А.В., Лончаков, А.Т., Окулова, К.А., Памятных, Е.А., Паранчич, С.Ю.

Отримати повний текст

Statistical model analysis of local structure of quaternary sphalerite crystals за авторством Robouch, B.V., Kisie, A., Marcelli, A., Sheregii, E.M., Cestelli Guidi, M., Piccinini, M., Polit, J., Cebulski, J., Mycielsk, A., Ivanov-Omski, V.I., Sciesinska, E., Sciesinski, J., Burattini, E.

Отримати повний текст

Сверхтонкие взаимодействия на ядре иона лантана в соединении LaMnO₃ за авторством Агзамова, П.А., Лескова, Ю.В., Никифоров, А.Е., Гончарь, Л.Э., Попов, С.Э.

Отримати повний текст

Антиферромагнитный резонанс в LaMnO₃ за авторством Можегоров, А.А., Гончарь, Л.Э., Никифоров, А.Е.

Отримати повний текст

Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x за авторством Якимчук, А.В., Заикина, Ю.В., Решетова, Л.Н., Рябова, Л.И., Хохлов, Д.Р., Шевельков, А.В.

Отримати повний текст

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) за авторством Хейфец, О.Л., Бабушкин, А.Н., Шабашова, О.А., Мельникова, Н.В.

Отримати повний текст

Физические принципы работы полупроводниковых дисковых лазеров за авторством Аверкиев, Н.С., Шерстнев, В.В., Монахов, А.М., Гребенщикова, Е.А., Кислякова, А.Ю., Яковлев, Ю.П., Krier, A., Wright, D.A.

Отримати повний текст

Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors за авторством Knap, W., El Fatimy, A., Torres, J., Teppe, F., Orlov, M., Gavrilenko, V.

Отримати повний текст

Charge states of strongly correlated 3d oxides: from typical insulator to unconventional electron-hole Bose liquid за авторством Moskvin, A.S.

Отримати повний текст